摘要：研究了离子注入后推结与扩散两种掺杂方式制作保护环对拉通型硅基雪崩光电二极管（Si-APD）器件成品率的影响,对比在不同工艺条件下器件反向击穿电压、暗电流的变化情况。研究结果表明,采用离子注入后推结的方式,在注入后3h@1 100℃条件下的成品率为94%;采用扩散掺杂方式,器件成品率不超过65%。两种方式对器件反向击穿电压影响较小且暗电流抑制效果相当。离子注入后推结制备保护环的方式更适合Si-APD制程。
分类：期刊> 自然科学与工程技术> 信息科技> 无线电电子学
收录：北大期刊(中国人文社会科学期刊) > 统计源期刊(中国科技论文优秀期刊) > 知网收录(中) > 维普收录(中) > 万方收录(中) > CA 化学文摘(美) > JST 日本科学技术振兴机构数据库(日) > 国家图书馆馆藏 > 上海图书馆馆藏
关键词：保护环 离子注入技术 扩散技术 成品率
注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社
