摘要：CCD多晶硅交叠区域绝缘介质对成品率和器件可靠性具有重要的影响。采用扫描电子显微镜和电学测试系统研究了CCD栅介质工艺对多晶硅层间介质的影响。研究结果表明：栅介质工艺对多晶硅层间介质形貌具有显著的影响。栅介质氮化硅淀积后进行氧化,随着氧化时间延长,靠近栅介质氮化硅区域的多晶硅层间介质层厚度增大。增加氮化硅氧化时间到320min,多晶硅层间薄弱区氧化层厚度增加到227nm。在前一次多晶硅氧化后淀积一层15nm厚氮化硅,能够很好地填充多晶硅层间介质空隙区,不会对CCD工作电压产生不利的影响。
分类：期刊> 自然科学与工程技术> 信息科技> 无线电电子学
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关键词：栅介质 多晶硅 电荷耦合器件
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