摘要：采用微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）法同质生长了边缘无多晶聚集的金刚石,详细研究了其表面与侧面的生长情况。利用微分干涉相差显微镜和喇曼光谱仪对边缘无多晶的单晶金刚石进行了表征,结果表明,通过优化侧面温度的控制可以实现4个侧面呈单晶生长,生长结束后金刚石尺寸由原始的3.50 mm×3.50 mm扩展到4.50 mm×4.52 mm,并且侧面扩展部分与表面区域的喇曼特征峰半高宽均在2.2～2.4 cm-1附近,呈现出较高的结晶质量,而光致发光光谱测试结果表明,晶体内部有氮和硅杂质存在。对于金刚石同质生长而言,金刚石4个侧面同时生长将会提高单晶生长效率和金刚石单片尺寸。
分类：期刊> 自然科学与工程技术> 信息科技> 无线电电子学
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关键词：金刚石 侧面生长 形貌 光致发光
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