摘要：1/f噪声是限制磁阻（MR）传感器低频检测能力的重要因素,而基于微机电系统（MEMS）的磁力线调制可使1/f噪声降低两个数量级以上。然而,由磁滞引起的非线性响应是限制其实际应用的主要问题,此外其具有单向响应特性问题。提出了一种双向脉冲磁化方法,可显著降低磁滞,提高MEMS/巨磁阻（GMR）集成磁传感器的线性度。此外,可以通过区分响应差异与双向脉冲磁化来实现双极磁场检测。实验结果表明：双向脉冲磁化可实现91%的磁滞抑制,灵敏度提高15.4%。
分类：期刊> 自然科学与工程技术> 信息科技> 自动化技术
收录：北大期刊(中国人文社会科学期刊) > 统计源期刊(中国科技论文优秀期刊) > 知网收录(中) > 维普收录(中) > 万方收录(中) > JST 日本科学技术振兴机构数据库(日) > 国家图书馆馆藏 > 上海图书馆馆藏
关键词：脉冲磁化 磁滞抑制 磁阻传感器
注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社
