摘要：采用金属有机化合物气相沉积法（MOCVD）在Si（111）衬底上外延生长AlN薄膜，用高分辨X射线衍射、扫描电子显微镜和原子力显微镜对外延生长所得AlN薄膜的性能进行表征，并研究了适量Hz的引入对AlN薄膜的晶体结构和表面形貌的影响．结果表明：在Si衬底上外延生长AlN薄膜过程中引入适量Hz，有利于提高AlN岛间愈合程度，薄膜表面缺陷减少，表面粗糙度由4．0nm减少至2．1nm；适量Hz的引入可使AlN薄膜的（0002）和（10—12）面的X射线摇摆曲线的半峰宽（FWHM）值从0．7°及1．1°分别减小到0．6°和0．9°，即刃型穿透位错密度和螺型穿透位错密度减少．
分类：期刊> 自然科学与工程技术> 工程科技I> 材料科学
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关键词：si衬底 aln薄膜 h2 mocvd
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