摘要：采用脉冲激光沉积（PLD）技术在AlN／Si异质结上外延生长GaN薄膜．研究了气压对GaN薄膜结构性能和表面形貌的影响，利用高分辨X射线衍射仪（HRXRD）、原子力显微镜（AFM）和扫描电子显微镜（SEM）对GaN薄膜的结构性能及表面形貌等进行表征和分析．结果表明：气压在1～50mTorr范围时，GaN薄膜的表面形貌及结构性能均是先好后差；当气压在最佳值10mTorr时，外延生长的GaN薄膜质量最优，其（0002）和（1012）面的高分辨X射线衍射摇摆曲线峰值半高宽（FWHM）分别为0．7°和0．8°；原子力显微镜测试得到GaN薄膜表面的粗糙度为1．8nm．
分类：期刊> 自然科学与工程技术> 工程科技I> 材料科学
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关键词：气压 脉冲激光沉积 gan
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