摘要：高增益AlGaN日盲雪崩探测器在国防安全与生命科学领域有重要的应用价值. 本文通过引入Al0.2Ga0.8N/Al0.4Ga0.6N异质结设计,将雪崩电压从79.3 V降低到73 V,雪崩增益从1.9×106提高到4.8×106. 通过数值模拟分析发现,异质界面极化电场与外加偏压方向一致,将高Al组分区域电场增强,从而降低了雪崩电压;虽然极化电场将低Al组分区域电场强度降低,但低Al组分区域离化系数大于高Al组分区域的离化系数约一个量级,空穴在高Al组分区域加速获得能量,在离化系数较高的低Al组分区域离化雪崩,提高了器件增益.
分类：期刊> 自然科学与工程技术> 基础科学> 基础科学综合
收录：知网收录(中) > 维普收录(中) > 万方收录(中) > 国家图书馆馆藏 > 上海图书馆馆藏
关键词：雪崩探测器 algan 异质结
注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社
