摘要：综述了基于SiIGBT/SiCMOSFET的混合开关器件,总结了相关的门极驱动时序、门极驱动硬件设计、电流分配优化、功率模块设计、变频器设计和成本分析等要素。该类混合开关器件可以实现SiIGBT的零电压开通和零电压关断,大幅缩短SiIGBT的拖尾电流时间,降低开关损耗,并可实现高频运行。该类混合开关器件还利用了SiIGBT的导通特性优势,与同规格纯SiC器件相比成本大幅降低。部分文献的仿真与实验结果验证了该类器件的优异特性,所开发的示范性样机具有较高使用价值,一定程度上可满足同时需求高频开关和中、大功率的应用。
分类：期刊> 自然科学与工程技术> 工程科技II> 电力工业
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关键词：碳化硅芯片 混合开关 门极驱动 功率模块 变频器
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