摘要：在高耐压器件中,保持高耐压的同时减少漂移区电阻是提升器件性能的关键,超结理论的提出使器件在相同耐压下具有更小的漂移区电阻。通过利用Silvaco TCAD软件对器件结构参数进行了计算优化仿真,得到了击穿电压为1680V,比导通电阻为0.60mΩ·cm2的超结VDMOS器件。
分类：期刊> 自然科学与工程技术> 工程科技II> 电力工业
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关键词：功率器件 超结 vdmos
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