摘要：提出了一种1200V 4H-SiC CIMOSFET优化结构。该结构在JFET区引入P型注入,以降低栅氧化层电场,提高器件的可靠性;在积累区引入N型注入,以降低器件的比导通电阻,提高器件的电流能力。通过Silvaco软件进行仿真,对器件各项参数优化,并对器件性能进行简要说明与分析,与传统1200V 4H-SiC MOSFET相比,其比导通电阻增加0.59mΩ·cm2,VDS=1200V时,栅氧化层电场强度下降1.52MV/cm。
分类：期刊> 自然科学与工程技术> 工程科技II> 电力工业
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关键词：mosfet cimosfet 比导通电阻 栅氧化层电场
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