摘要：碳化硅宽禁带半导体器件因其损耗小、开关时间短以及温度特性稳定等诸多优点在中小功率变换器得到广泛关注。对比Si IGBT,SiC MOSFET的反向导通(第三象限运行)压降更低、损耗更小、载流能力更高,在电机驱动、移相DC/DC变换器以及同步整流器中应用更有优势。首先研究了SiC MOSFET反向导通机理及其外特性随温度变化规律,提出了一种适用于不同封装、不同型号的反向导通建模方法,实现仅需数据手册即可快速建立包含不同结温特性的行为模型,仿真结果验证了提出的建模方法对分立元件和功率模块的准确性和有效性。
分类：期刊> 自然科学与工程技术> 工程科技II> 电力工业
收录：北大期刊(中国人文社会科学期刊) > CSCD 中国科学引文数据库来源期刊(含扩展版) > 统计源期刊(中国科技论文优秀期刊) > 知网收录(中) > 维普收录(中) > 万方收录(中) > SA 科学文摘(英) > JST 日本科学技术振兴机构数据库(日) > Pж(AJ) 文摘杂志(俄) > 国家图书馆馆藏 > 上海图书馆馆藏
关键词：碳化硅mosfet 反向导通 通用行为模型
注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社
