摘要：高温超导涂层导体是解决当今能源危机的重要复合材料之一,而经济、有效、节能的制备技术是涂层导体广泛应用的关键.本文采用表面氧化外延法在Ni-wt.5%W基带上普氩下中温氧化制备了立方织构的NiO种子层.通过对氧化温度和氧化时间两个主要因素分析,确定了NiO生长条件为普氩中790℃内保温20mins。与高温（空气中1000℃以上）制备相比,降低了氧化膜制备温度.薄膜厚度大约为650nm.最后在生成的NiO薄膜上化学溶液沉积了YBa2Cu3O7-δ/SmBiO3复合层,所得样品超导转变温度为89 K,77 K自场下临界电流密度为1.46 MA/cm2（77K,零场）.中温表面氧化外延法为涂层导体制备提供了一种实用可行路径.
分类：期刊> 自然科学与工程技术> 基础科学> 物理学
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关键词：涂层导体 表面氧化外延 nio种子层
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