摘要：采用卷对卷装置通过直流反应磁控溅射法在离子束辅助沉积（IBAD）的MgO上生长获得了纯c轴织构的LaMnO3（LMO）帽子层,详细研究了不同基底温度、氧分压、溅射功率及不同MgO基底对LMO帽子层微结构及其性能的影响,研究表明,LMO具有一定的生长优化工艺,而IBAD-MgO基底性能对LMO的外延生长的影响尤为显著.在最优条件下,最终获得了纯c轴织构、面内外半高宽都较小且表面比较致密平整的LMO帽子层,以此LMO薄膜作为缓冲层,通过化学法外延生长的YBCO超导薄膜,其77K自场下Jc达到1.69 MA/cm2.
分类：期刊> 自然科学与工程技术> 基础科学> 物理学
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关键词：lamno3 帽子层 直流磁控溅射 涂层导体
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