摘要：为了改善3C-SiC单晶薄膜结晶质连SiC单晶薄膜微观结构与碳化工艺是3C-SiC/Si异质外延研究的关键。研究了碳化工艺、3C-SiC薄膜外延生长温度、x（C）/x（Si）气相摩尔比等对于Si基3C-SiC薄膜表面质量和结晶质量的影响,获得（100）单晶Si衬底生长高质量3C-SiC薄膜工艺。通过光学显微镜、XRD射线2θ-ω、XRD摇摆曲线等分析Si基3C-SiC薄膜表面质量和单晶特性。研究表明,在x（C）/x（Si）气相摩尔比为1.6时,采用＂两步碳化工艺＂在1 385℃生长1 h获得的3C-SiC薄膜为类单晶薄膜,3C-SiC薄膜（200）衍射峰的摇摆曲线半峰宽约为0.19°。
分类：期刊> 自然科学与工程技术> 信息科技> 无线电电子学
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关键词：si单晶衬底 修正的两步碳化工艺
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