摘要：作为第三代半导体材料的典型代表,氮化镓具有比硅和砷化镓更为优越的性能,其制成的器件可用共晶焊接的方式进行组装。结合影响共晶焊的工艺因素以及试验芯片本身的特质,选取了不同参数进行试验,得到了适用于硅衬底、底面镀金的氮化镓芯片的较好共晶焊工艺参数,证明氮化镓器件的共晶焊接技术可行。
分类：期刊> 自然科学与工程技术> 信息科技> 无线电电子学
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关键词：氮化镓器件 共晶 超声扫描
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