摘要：针对栅、源两种场板氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMTs）,提出了一种包含非线性热网络的电热大信号模型。该模型基于电热耦合理论,采用有限元电热仿真方法,提取了两种场板器件的热阻和热容参数,建立了与功耗相关的非线性热网络,并嵌入到改进的Angelov经验模型中;分析了场板结构对微波小信号特性和大信号负载阻抗的影响等。在片测试及仿真结果表明,针对两种场板GaN HEMTs器件,在0~40 GHz频带内,该模型能较精确地预测S参数、输出功率（Pout）、增益（Gain）和功率附加效率（PAE）等参数;为成功地完成电路设计,提供了较为精确的电热大信号模型。
分类：期刊> 自然科学与工程技术> 信息科技> 无线电电子学
收录：北大期刊(中国人文社会科学期刊) > CSCD 中国科学引文数据库来源期刊(含扩展版) > 统计源期刊(中国科技论文优秀期刊) > 知网收录(中) > 维普收录(中) > 万方收录(中) > EI 工程索引(美) > CA 化学文摘(美) > JST 日本科学技术振兴机构数据库(日) > 国家图书馆馆藏 > 上海图书馆馆藏
关键词：场板 氮化镓 大信号模型 自热效应 热阻
注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社
