摘要：<正> 0810 半导体物理0507735电子密度与 N 型锑化镓能量的相关性=Dependence ofElectron Density on Energy in N-Type Gallium Anti-monide[刊,英]/Herbert S Bennett//Journal of Researchof the National Institute of Standards and Technology.—2003,108(3).—193-198(E)0507736Ta/Au 与 n 型 ZnO 的欧姆接触=Ta/Au Ohmic Con-tacts to n-Type ZnO[刊,英]/H.Sheng,N.W.Emane-toglu//Journal of Electronic Materials.—2003,32(9).—935-938(E)
分类：期刊> 自然科学与工程技术> 信息科技> 无线电电子学
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关键词：半导体制造 欧姆接触 锑化镓 场效应晶体管 多量子阱 双极晶体管 印刷电路板 bennett 发光二极管 磁极化子
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