摘要：随着半导体工艺的进步和器件的特征尺寸缩短,单粒子多位翻转事件和单粒子瞬态辐射效应事件显著增长,传统多模冗余技术无法满足加固要求。对一款抗辐射存储器进行后端物理设计,在布局和时钟树设计阶段实现了空间交织冗余和时间交织冗余的加固手段,最后对物理设计结果进行了分析。
分类：期刊> 自然科学与工程技术> 信息科技> 无线电电子学
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关键词：物理设计 抗辐射 sram 冗余技术 时间交织 半导体工艺 特征尺寸 辐射效应
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