摘要：低电容瞬态电压抑制器（TVS）由高阻外延的雪崩二极管与低阻衬底的导引二极管组合而成。区别于常规的单片减压外延工艺,在常压外延条件、多片生长模式下,通过衬底背面的自吸硅以及低温长缓冲层工艺,有效抑制了外延过程中的自掺杂,在P型重掺衬底上生长出薄层高阻的N型外延层,降低了低电容TVS雪崩二极管的反向击穿电压,提高了浪涌抑制能力。
分类：期刊> 自然科学与工程技术> 信息科技> 无线电电子学
收录：知网收录(中) > 维普收录(中) > 万方收录(中) > 国家图书馆馆藏 > 上海图书馆馆藏
关键词：低电容 常压外延 自掺杂
注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社
