摘要：Ta掺杂的Ir-Ta-O是电化学工业中具有代表意义的电极材料.采用基于密度泛函理论（DFT）的投影缀加平面波中的广义梯度近似方法,对金红石型Ir8O16和Ta掺杂的Ir7Ta1O16复合氧化物的晶体和电子结构进行计算.结果表明,IrO2的结构数据与文献报导相吻合.掺Ta的Ir7Ta1O16存在2种不同结构,二者晶体结构参数、系统总能和电子结构很接近.Ta掺杂可使Ir8O16晶胞体积增大,使体系相对稳定.掺Ta的（Ir,Ta）O2与IrO2类似,也体现金属的导电特性.Ta原子比Ir原子失电子能力强,掺杂后Ta原子周围的电子向O原子转移,为体系提供了更多的离子键.
分类：期刊> 自然科学与工程技术> 工程科技I> 金属学及金属工艺
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关键词：金属材料 密度泛函理论 晶体结构 bader布居 电荷密度
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