摘要：应用键弛豫理论（BOLS）对层状硒化钨材料的拉曼光谱进行定量分析，得出了硒化钨层数与键参数的数值函数关系。澄清了硒化钨拉曼频移层数效应的内在起因：硒化钨层数增加时，拉曼振动模Atg发生蓝移是由于最近邻原子的影响；成键原子控制着硒化钨拉曼E1/2g模和B1/2g模的红移。
分类：期刊> 自然科学与工程技术> 基础科学> 物理学
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关键词：层数 二硒化钨 拉曼频移 有效配位数
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