摘要：采用固相法制备了CaBi8Ti7O（27–x） Ce（CBT–BIT–x Ce,x=0.00,0.02,0.04,0.06,0.08,0.10）共生铋层状结构陶瓷。利用X射线衍射、高分辨率透射电子显微镜、Raman光谱、介电谱、阻抗谱对其结构和电学性能进行表征。Ce主要是以Ce3＋的形式占据类钙钛矿层的A位,也存在少量Ce4＋进入B位。Ce掺杂导致陶瓷晶格畸变增加从而提升了Curie温度。在高温区域陶瓷的晶粒对电传导起主要作用,Ce掺杂使陶瓷电导活化能增加是因为氧空位浓度的减少,进而导致介电损耗tanδ减小和压电常数d（33）的提升。CBT–BIT–0.06Ce陶瓷样品具有最佳电性能：Tc=746℃,d（33）=22 pC/N,tanδ=0.40%。
分类：期刊> 自然科学与工程技术> 工程科技I> 无机化工
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关键词：铈 共生铋层状结构 掺杂 电学性能
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