摘要：采用软件仿真一系列横向双扩散金属氧化物半导体场效应管（Laterally double-diffused metal oxide semiconductor,LDMOS）结构,为缓解绝缘体上硅（Silicon on insulator,SOI）器件的击穿电压VB和漂移区的比导通电阻Ron.sp之间的矛盾关系,提出了一种具有纵向源极场板的双槽SOI新结构。该结构首先采用槽栅结构,以降低比导通电阻Ron.sp;其次,在漂移区内引入SiO2介质槽,以提高击穿电压VB;最后,在SiO2介质槽中引入纵向源极场板,进行了电场重塑。通过仿真实验,获得器件表面电场、纵向电场曲线及器件击穿时的电势线和导通时的电流线等。结果表明,新结构的VB较传统LDMOS器件提高了121%,Ron.sp降低了9%,器件优值FOM值达到15.2 MW·cm^-2。
分类：期刊> 自然科学与工程技术> 信息科技> 无线电电子学
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关键词：绝缘体上硅 击穿电压 比导通电阻
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