摘要：介绍了一种毫米波GaN基HEMT器件大信号等效电路模型。该模型采用SDD的建模方法。提出了I-V及C-V表达式,完成了直流及S参数的拟合,并分析了拟合结果。与18GHz的在片loadpull测试结果比较,模型仿真结果显示输出功率及效率与实测数据基本一致。
分类：期刊> 自然科学与工程技术> 信息科技> 无线电电子学
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关键词：符号定义器件 gan高电子迁移率晶体管 大信号模型
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