摘要：报道了一种采用电子束直写70nm＂Y＂型栅工艺制备的GaAs MHEMT器件及W波段低噪声放大器。器件的最大跨导可达到1 050mS/mm,最大电流密度可达650mA/mm。通过小信号S参数测试,可外推其电流增益截至频率fT及最大振荡频率fmax分别达350GHz及470GHz。采用该工艺制备的W波段低噪声放大器,在86-96GHz频段可实现噪声系数小于3dB,增益大于20dB。
分类：期刊> 自然科学与工程技术> 信息科技> 无线电电子学
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关键词：电子束直写 w波段 低噪声放大器
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