摘要：报道了一款采用三级放大结构的Ku波段高效率GaN功率放大器芯片。放大器设计中通过电路布局优化改善功放芯片内部相位一致性,提高末级晶胞的合成效率,最终实现整个放大器功率及效率的提升。经匹配优化后放大器在14.6-17.0GHz频带内脉冲输出功率大于20 W,功率附加效率大于36%,最高39%。功率放大器芯片采用0.25μm GaN HEMT 101.6mm（4英寸）圆片工艺制造,芯片尺寸为2.3mm×1.9mm。
分类：期刊> 自然科学与工程技术> 信息科技> 无线电电子学
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关键词：gan功率放大器 ku波段 微波单片集成电路
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