摘要：考虑光场限制因子、温度变化和阱间载流子非均匀分布，给出A1GaInAs多量子阱增益求解的分析模型。对量子阱应变量、阱宽和载流子浓度对材料增益TE模和TM模的影响进行了分析。设计出C波段内增益低偏振相关的混合应变多量子阱结构。在15～45℃温度范围，其模式增益具有低的偏振相关性（2%以内）；当注入载流子浓度从2×10^24m^-3。增大到3×10^24m^-3时，模式增益逐渐增大，且能在一定温度下保持低的偏振相关（3％以内）。
分类：期刊> 自然科学与工程技术> 信息科技> 无线电电子学
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关键词：a1gainas多量子阱 增益 低偏振相关 温度
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