摘要：针对高功率微波脉冲参数对复杂腔体内器件损伤概率的影响,以TTL门电路为研究对象,利用随机耦合模型对高斯脉冲干扰下复杂腔体内电子器件的损伤概率进行了分析和预测,重点计算分析了高斯脉冲的脉冲上升沿、脉冲间隔、脉冲幅值及脉冲个数对复杂腔体内电子器件损伤概率的影响.计算结果表明,电子器件的损伤概率随脉冲上升沿、脉冲幅值、脉冲个数的增大而增大,随脉冲间隔的增大而减小.该方法的研究为大规模不规则电子系统中电子器件的电磁兼容、电磁效应评估、电磁防护及电磁加固等工作提供了新的指导.
分类：期刊> 人文社会科学> 社会科学II> 教育理论与教育管理
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关键词：损伤概率 电子器件 随机耦合模型 高斯脉冲
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