摘要：300 mm半导体厂含Cu废水的浓度和水量较200 mm半导体厂有明显的增加,而且越先进的制程工艺,其产生的含Cu废水处理的难度也越高。采用酵素-破络沉淀工艺处理含Cu废水,工程应用表明：在含Cu废水H2O2质量浓度为112~485 mg/L,总Cu质量浓度6~80 mg/L的条件下,经处理后出水H2O2质量浓度低于5 mg/L,总Cu质量浓度低于1 mg/L,去除率达到97%以上,总排口的总Cu质量浓度控制在0.5 mg/L以下,完全达到DB 31/374—2006《上海市半导体行业污染物排放标准》。
分类：期刊> 自然科学与工程技术> 工程科技I> 环境科学与资源利用
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关键词：半导体 含cu废水 破络 工程应用
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