摘要：本文简要介绍了nBn势垒阻挡结构器件的提出、发展过程。讨论了nBn型器件的工作机理及其对暗电流的抑制机理。对比了普通碲镉汞nBn结构器件与经过优化具备俄歇抑制特点的NBvN结构器件的性能。总结了碲镉汞nBn型器件势垒层设计要素及器件价带带阶消除的方法。
分类：期刊> 自然科学与工程技术> 信息科技> 无线电电子学
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关键词：碲镉汞 势垒 srh抑制 俄歇抑制 高工作温度
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