摘要：采用分子束外延工艺方法生长的InAs/GaSb二类超晶格材料因其独特的能带断带结构,极大地降低了俄歇复合暗电流,且其较大的电子有效质量使得隧穿电流进一步降低,因此超晶格材料成为国内外红外领域研究关注的重点。本文介绍的超晶格中长波双色探测器采用npn背靠背结构,阵列规模为320×256,像元中心距为30.m。其中测得80K温度下,-0.1V偏压工作时中波50%截止波长为4.5.m,0.17V偏压工作时长波50%截止波长为10.5.m,对应的峰值量子效率为45%、33%,相应的暗电流密度为5.94×10-7A/cm2@-0.1V、1.72×10-4A/cm2@0.17V,NETD为16.6mK、15.6mK。
分类：期刊> 自然科学与工程技术> 信息科技> 无线电电子学
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关键词：二类超晶格 中长波双色 焦平面阵列
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