摘要：在12~300K的温度范围内研究了InSb薄膜（利用MBE生长）的磁阻效应随厚度的变化关系.实验发现厚的InSb薄膜只能产生半经典（∝B2）磁阻效应.而减小薄膜厚度,在薄的InSb薄膜中会更容易出现弱反局域化效应,从而造成在低温下（〈35K）出现了一个异常的随温度增加而迁移率降低的趋势.我们发现该弱反局域化效应可用HLN模型拟合,证明了它可能来源于二维（2-D）体系,比如InSb的界面态.
分类：期刊> 自然科学与工程技术> 信息科技> 无线电电子学
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关键词：锑化铟 磁阻效应 弱反局域化效应
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