摘要：采用Au催化的固-液-气（VLS）方法制备了单晶Bi_2Se_3和Bi_2（Te_xSe_（1-x））_3纳米线,研究了单根纳米线器件的输运性质.在对单根Bi_2（Te_xSe_（1-x））3（x=0.26）纳米线的低温磁输运测试中观察到反弱局域效应,说明样品中存在较强的自旋-轨道耦合.结果表明,Te掺杂可以有效抑制体电导对输运过程的影响.通过对不同温度下的磁电导曲线进行拟合,得到了电子的退相干长度l_φ,l_φ从1.5 K时的389 nm减小至20 K时的39 nm,遵循l_φ∝T（-0.96）指数变化规律.分析表明,在Te掺杂样品的输运过程中,电子-电子散射和电子-声子散射均起到了十分重要的作用.
分类：期刊> 自然科学与工程技术> 信息科技> 无线电电子学
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关键词：拓扑绝缘体 bi2se3纳米线 反弱局域 退相干长度
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