摘要：通过分析bcc结构金属Mo和fcc结构金属Ir电子束区熔中3种不同取向[100]、[110]和[111]晶体生长,发现金属Mo在平界面凝固下会以[110] 取向择优生长,而在凸界面下可能存在[100]和[110] 2种择优生长方向,取决于界面能各向异性参数a1和a2的相对大小,说明电子束区熔中金属Mo单晶通常呈现[110]择优取向,而不是通常认为的[100]择优取向。无论是在平界面还是凸界面下,fcc结构高熔点金属Ir始终以[100]择优取向生长,并通过Ir单晶生长实验得到验证。电子束区熔下需综合考虑晶体生长曲率过冷度和动力学过冷度的影响,小尺寸试样（晶粒尺寸在毫米量级及以下）中晶向选择和淘汰取决于曲率过冷度;大尺寸试样（晶粒尺寸在厘米量级及以上）的晶向选择和淘汰主要依靠动力学过冷度。
分类：期刊> 自然科学与工程技术> 工程科技I> 金属学及金属工艺
收录：北大期刊(中国人文社会科学期刊) > CSCD 中国科学引文数据库来源期刊(含扩展版) > 统计源期刊(中国科技论文优秀期刊) > 知网收录(中) > 维普收录(中) > 万方收录(中) > EI 工程索引(美) > CA 化学文摘(美) > SCI 科学引文索引(美) > JST 日本科学技术振兴机构数据库(日) > Pж(AJ) 文摘杂志(俄) > 国家图书馆馆藏 > 上海图书馆馆藏
关键词：电子束区熔 晶粒竞争生长 界面能各向异性 择优取向
注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社
