摘要：针对4个-Fe对称倾斜晶界，采用分子静力学考察了4个晶界中H原子偏析能的分布特征，并采用分子动力学方法研究了晶界内植入不同数量H原子对其在室温条件下剪切行为的影响.H原子通过随机方式植入界面内，利用植入H原子数量与晶界面积的比值来定义H原子面密度.在含H原子晶界剪切行为分析过程中，重点考察了在不同H原子密度下，4个晶界的初始塑性临界应力和晶界迁移位移的变化趋势以及4个晶界在加载过程中的微观变形机理.研究表明：晶界内的H原子偏析能明显偏低，4个晶界附近的H原子会自发向晶界内偏析；随着植入H原子数量的逐渐增多，晶界的初始塑性临界应力和后续变形阶段应力均会降低.晶界内植入H原子会从本质上改变晶界的微观变形机理，进而影响晶界在外载荷条件下的迁移属性.与不含H原子晶界的变形机理对比发现，加载过程中晶界的微结构会发生剧烈的演化，H原子的扩散和团簇化效应会导致晶界内出现纳米孔缺陷.
分类：期刊> 自然科学与工程技术> 基础科学> 力学
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关键词：晶界 氢原子 偏析能 剪切行为
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