摘要：随着开关频率的增大,寄生电感对碳化硅（SiC）器件动态开关过程的影响程度也越来越大,无法充分发挥其高速开关下低开关损耗的性能优势。本文采用理论定性分析与实验定量研究相结合的方法,考虑相关寄生电感,对SiC MOSFET基本开关电路建立数学模型,确立影响开关特性的主要因素,然后通过SiC器件高速电路双脉冲测试平台,对各部分寄生电感对SiC器件开关性能的影响进行系统研究,揭示寄生电感对SiC MOSFET开关特性的影响规律。在此基础之上,根据SiC高速开关电路实际布局的限制,在布局紧凑程度或回路走线总长度相对不变的情况下,对各部分寄生电感的匹配关系进行研究,归纳出SiC器件开关过程受寄生参数影响的特性规律,从而指导SiC基高速开关电路的优化布局设计。
分类：期刊> 人文社会科学> 社会科学II> 教育综合
收录：北大期刊(中国人文社会科学期刊) > CSCD 中国科学引文数据库来源期刊(含扩展版) > 统计源期刊(中国科技论文优秀期刊) > 知网收录(中) > 维普收录(中) > 万方收录(中) > CA 化学文摘(美) > SA 科学文摘(英) > JST 日本科学技术振兴机构数据库(日) > Pж(AJ) 文摘杂志(俄) > 剑桥科学文摘 > 国家图书馆馆藏 > 上海图书馆馆藏
关键词：电力电子 碳化硅 寄生电感 匹配关系 布局设计
注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社
