摘要：文中设计、制备并表征了同质集成的可见光双工通信芯片。采用硅衬底剥离和悬空氮化物薄膜背后减薄技术，在硅衬底GaN晶圆上制备了同质集成悬空p-n结InGaN／GaN多量子阱二极管（Multiple—Quantum—Well Diode，MQW-diode）和悬空波导的光子芯片。利用悬空p-n结InGaN／GaNMQW-diode可以同时发光和光探测的物理特性，将两个InGaN／GaNMQW-diode同时作为收发端，发出的调制光耦合进悬空光波导进行传输，并最后被另一个收发端接收，叠加信号可以通过自干扰消除法进行提取处理，实现芯片内可见光双工通信。这种同质集成光源、光波导和光电探测器的可见光通信芯片为发展高速同频同时全双工可见光通信芯片奠定了器件基础。
分类：期刊> 自然科学与工程技术> 信息科技> 电信技术
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关键词：同质集成 双工可见光通信
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