摘要：针对基于闪烁屏-CCD（电荷耦合元件）相机的氘离子束横向强度分布测量系统,利用ANSYS软件模拟计算了在直流及脉冲模式下,能量100keV、束斑直径3mm氘离子轰击造成的Al2O3,SiO2以及锗酸铋（BGO）三种候选闪烁体材料的表面温度变化。结果表明,在30μA的直流氘离子束轰击下,闪烁体表面温度随辐照时间急剧地升高。持续时间10min的氘离子束轰击将使三种材料前表面的温度分别升高131,234和649℃。对于峰值流强30μA、重复频率1Hz、脉宽5μs的重复频率脉冲氘离子束,每个脉冲引起的三种闪烁屏表面的温度升高均小于0.05℃,且长时间的离子辐照基本不会造成闪烁屏的表面温度有明显的升高。对于脉宽5μs的单脉冲氘离子束,三种材料的表面温度均随离子流强近似呈线性地增加。在单脉冲模式下,Al2O3,SiO2以及BGO闪烁屏能允许的最高离子流强分别为2.32,1.08和0.72A,超过此流强其表面温度将达到熔点。
分类：期刊> 自然科学与工程技术> 基础科学> 物理学
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关键词：离子束 束流截面 闪烁体 热效应
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