摘要:采用常压化学气相沉积(APCVD)法制备二维六方氮化硼的基本方法,系统探究衬底抛光处理、衬底与前驱体间距、前驱体加热温度、生长温度等对六方氮化硼生长的影响,通过优化调控生长因子,成功制备出高质量单层六方氮化硼薄膜.
分类:期刊> 人文社会科学> 社会科学II> 教育综合
收录:知网收录(中) > 维普收录(中) > 万方收录(中) > 国家图书馆馆藏 > 上海图书馆馆藏
关键词:常压化学气相沉积 六方氮化硼 二维材料 单原子层
注:因版权方要求,不能公开全文,如需全文,请咨询杂志社
摘要:采用常压化学气相沉积(APCVD)法制备二维六方氮化硼的基本方法,系统探究衬底抛光处理、衬底与前驱体间距、前驱体加热温度、生长温度等对六方氮化硼生长的影响,通过优化调控生长因子,成功制备出高质量单层六方氮化硼薄膜.
分类:期刊> 人文社会科学> 社会科学II> 教育综合
收录:知网收录(中) > 维普收录(中) > 万方收录(中) > 国家图书馆馆藏 > 上海图书馆馆藏
关键词:常压化学气相沉积 六方氮化硼 二维材料 单原子层
注:因版权方要求,不能公开全文,如需全文,请咨询杂志社