摘要：第三代宽禁带半导体材料氮化镓(GaN)以其优异的电学和光学性能受到了产业界和科研界的重视。稀土离子Eu掺杂GaN材料,既具备了稀土元素优异的光学性能,又充分发挥了半导体材料的优势,可用于制备新型红光LED器件。因此,对GaN∶Eu材料的制备方法,发光机理及器件研究进展进行了总结,并对其未来发展趋势进行了展望。
分类：期刊> 自然科学与工程技术> 工程科技I> 化学
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关键词：材料制备 发光机理 器件
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