摘要：利用双氧水溶液对硅片表面进行预氧化处理,并用改良的RCA法清洗硅片,结合金属辅助化学刻蚀(MACE)制备硅纳米线阵列(SiNWs)。通过表征发现:预氧化清洗相较于传统RCA清洗,能够降低硅片表面微粗糙度,同时提高后续制备的硅纳米线阵列的均匀性。此外,在300~800nm波段,当硅纳米线的长度相近时,经预氧化清洗制备的硅纳米线阵列反射率降低,当硅纳米线长度为500nm左右时,反射率降低值大于2.4%。最后分析了均匀硅纳米线阵列的形成机理。
分类：期刊> 自然科学与工程技术> 工程科技I> 化学
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关键词：硅纳米线阵列 预氧化清洗 金属辅助化学刻蚀 各向异性
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