摘要：实验利用热蒸发法,以Au覆盖的Si（111）片作为基底,在1 300℃对单质镓加热不同的时间,制备出了一种特殊的纳米同轴电缆结构,并通过SEM（scanning electron microscopy）、XRD（X-ray diffraction）、TEM（transmission electron microscopy）、EDS（energy dispersive spectroscopy）等多种检测手段对样品进行了表征.SEM图像表明该实验制备了大量直径在100400 nm的纳米结构,而且不同的恒温加热时间会对样品的形貌和结构有显著的影响,通过XRD、TEM、EDS检测确定了这种核壳结构,即外部的SiO2壳包裹着内部的Ga2O3纳米线.最后具体分析了这种核壳结构的可能生长机理:在Ga2O3纳米线生长的初期以合金液滴指引的VLS（vapor-liquid-solid）生长机理为主,当Si基底表面覆盖一层纳米材料后,以结构缺陷引导的VS（vapor-solid）生长机理在之后的纳米结构形成过程中起主要作用,而SiO2外壳是以Ga2O3纳米线为模板形成的.
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关键词：热蒸发 纳米同轴电缆 单晶 生长机理
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