摘要：采用电子背散射衍射（electron backscattered diffraction, EBSD）技术研究了不同变形量高纯铝试样的变形行为和退火后三叉晶界及晶界的迁移行为. 研究结果表明, 冷轧变形后三叉晶界附近的点对原点的取向差与泰勒因子及施密特因子有很好的一致性. 具有较大施密特因子或者较小泰勒因子的晶粒的取向差较大, 并且随着变形量的增大取向差的最大值也增大. Kernel 平均取向差（Kernel average misorientation, KAM）图表明塑性变形时, 三叉晶界和晶界处应变集中. 对于冷轧变形量为17% 的三叉晶界, 施密特因子最大的晶粒内部滑移带终止于晶内, 主要原因是相邻晶粒变形时为了相互协调, 晶界附近的晶粒间发生了较大偏转, 出现了晶界影响区外; 对于变形量为35% 的三叉晶界, 除了出现晶界影响区外, 在施密特因子最大的晶粒内三叉结附近出现了折痕. 随后试样经过第一次400℃退火15 min, 三叉晶界及其相关晶界发生了迁移, 并且晶界在原来的位置留下了鬼线. 晶界都是由施密特因子较小的晶粒向施密特因子较大的晶粒迁移, 也就是由硬取向的晶粒向软取向的晶粒迁移, 并且迁移后晶界变得更弯曲, 晶界的迁移距离比三叉结的大, 说明在此温度下退火后, 三叉结对晶界的迁移有拖曳作用. 三叉晶界及其晶界的迁移量随着变形量的增大而增大, 这是因为变形量大、储能高, 给三叉晶界及晶界提供的驱动力也大. 最后试样经过第二次400℃退火17 min,为了降低第一次退火后残留的应变能, 晶界又进一步迁移.
分类：期刊> 自然科学与工程技术> 基础科学> 自然科学理论与方法
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关键词：金属材料 三叉晶界 电子背散射衍射 晶界 鬼线
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