400-808-1701
首页 期刊 世界电子元器件 安森美半导体的超高电源抑制比(PSRR)LDO提高无线和成像应用性能(非官网)

安森美半导体的超高电源抑制比(PSRR)LDO提高无线和成像应用性能

摘要:射频(RF)收发器、Wi-Fi模块和光学图像传感器等应用对开关稳压器产生的噪声或残留交流纹波较敏感。半导体行业领袖安森美半导体最近推出的超高电源抑制比(PSRR)低压降(LDO)稳压器系列NCP16x及汽车变体器件NCV81x,实现超低噪声,是用于这类应用的理想电源管理方案。安森美半导体的超高PSRR LDO稳压器系列简介安森美半导体的超高PSRR LDO稳压器系列采用了一种新的专利架构,从而实现业界最佳的PSRR(最高达98 dB),阻止不想要的电源噪声到达敏感的模拟电路,而超低噪声无需额外的输出电容。其中NCP16x系列包

分类:期刊> 自然科学与工程技术> 信息科技> 无线电电子学

收录:知网收录(中) > 维普收录(中) > 国家图书馆馆藏 > 上海图书馆馆藏

注:因版权方要求,不能公开全文,如需全文,请咨询杂志社