摘要：基片集成波导(SIW)既有波导的损耗低、品质因数高、功率容量大的特点,又兼具微带线的低剖面、尺寸小、易于与其他平面电路集成的优点,被广泛应用于微波电路设计之中。鉴于目前测试系统及级联都采用矩形波导端口,为实现对SIW元器件的测试及系统集成,须对SIW元器件进行过渡结构设计。采用三维高频电磁仿真软件仿真和优化,设计了一种新型SIW-波导过渡结构。仿真结果表明:该结构在205~225 GHz频段内,带内插入损耗在0.5~0.6 d B之间,回波损耗大于12 d B;背对背结构,插入损耗小于1.5 d B,回波损耗大于10 d B,相对带宽11.4%。
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关键词：太赫兹 基片集成波导 过渡结构
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