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我国掌握5nm栅长碳纳米晶体管的制备技术

摘要:据报道,美国《科学》杂志近日刊登了北京大学信息科学技术学院彭练矛和张志勇课题组在碳纳米管电子学领域取得的世界级突破:首次制备出5 nm栅长的高性能碳纳米晶体管,并证明其性能超越同等尺寸的硅基CMOS(互补金属-氧化物-半导体)场效应晶体管,将晶体管性能推至理论极限。因主流硅基CMOS技术面临尺寸缩减的限制,20多年来,

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关键词:碳纳米 栅长 科学技术学院 张志勇 北京大学信息 理论极限 碳管 工艺限制 低工作电压 反相器 

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