摘要：在宇航级器件的设计过程中，主要考虑单粒子效应和总剂量效应。随着工艺尺寸的不断缩小，总剂量效应变得越来越不明显，而单粒子效应变得越来越显著。对于CMOS电路，单粒子效应主要包括单粒子锁定和单粒子翻转，防止单粒子锁定的方法非常成熟，单粒子翻转效应的研究是现今抗辐照研究的主流。评估单粒子效应的方法主要是实验方式，实验评估单粒子效应虽然准确，但是机时少，费用高，实验周期长，给项目研制过程造成很大障碍，因此非常有必要开展单粒子仿真技术研究。提出一种以Hspice电路网表为基础的单粒子效应评估方法，此方法采用脉冲电流模拟单粒子产生的效果。通过此方法可以有效模拟单粒子现象．并找到电路的设计敏感点．有效指导设计．
分类：期刊> 自然科学与工程技术> 信息科技> 无线电电子学
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关键词：抗辐照 单粒子翻转 单粒子闭锁 比较器 仿真 冲击能量 单粒子效应
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