摘要：介绍了一种应用于DRAM芯片内部供电的新型低压差线性稳压器（LDO）。在传统LDO电路PMOS输出驱动管的栅端增加了一个开关电容电路,根据负载电流使能信号控制耦合电容的接入,使驱动管的栅端耦合到一个正向或者负向的电压脉冲,在负载电流急剧变化时能快速调整过驱动电压,以适应负载电流的变化。仿真结果显示,该电路有利于输出电压的快速稳定,恢复时间缩短了38%以上。采用45nm DRAM掩埋字线工艺进行流片。实测结果显示,该LDO输出电压恢复时间在10ns以内。在DDR3-1600的数据传输速度下,DRAM芯片的数据输出眼图为280ps,符合JEDEC标准。
分类：期刊> 自然科学与工程技术> 信息科技> 无线电电子学
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关键词：低压差线性稳压器 耦合电容 负载电流使能 模拟集成电路
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