摘要：以硅片表面的平整度(flatness)和硅片表面的全场厚度范围(TTV)等参数为基础,建立了硅片表面的理论形貌模型.根据调焦调平测量系统指标等确定了调焦调平测量系统的有效频带,并设计了相应的滤波器.对硅片表面的理论形貌进行滤波后,得到用于调焦调平测量的硅片表面形貌的模型.由于该模型包括硅片表面在一个曝光视场内的模型和全场模型,并以SEMI标准和ITRS预测的相关参数为基础,因此不受实验条件影响,适用范围广,可用于调焦调平测量系统的模拟测试以及相关光刻工艺的分析.
分类：期刊> 自然科学与工程技术> 信息科技> 无线电电子学
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关键词：扫描投影光刻机 调焦调平测量系统 硅片表面形貌 建模
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