摘要：为了分析超疏水表面的物理特性及应用前景,介绍了粗糙超疏水表面的两种理论模型,提出了一种基于MEMS加工技术的超疏水表面制备工艺,即利用ICP刻蚀工艺制备规则的硅方柱,并用旋转涂覆TeflonR AF1600作为疏水薄膜,制备了疏水特性可控的硅表面.对接触角进行了测量,结果表明,在平整Teflon薄膜表面上,去离子水液滴的本征接触角约为117 °,在边长间距比为10 μm/35 μm的方柱表面上的去离子水液滴显现接触角可达170 °.另处,还给出了为避免Wenzel液滴出现的"安全"设计参数(方柱间距边长比小于2.5),以及一种基于润湿性梯度的微流体操控方案.
分类：期刊> 自然科学与工程技术> 信息科技> 无线电电子学
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关键词：超疏水表面 微机械 icp刻蚀
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